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Disque SSD Samsung 870 QVO 4 To

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319
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TTC

Caractéristiques

Général
Type de périphérique:Disque SSD - interne
Capacité:4 To
Cryptage matériel:Oui
Algorithme de chiffrement:AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND:Cellule à quatre niveaux (QLC)
Format:2.5"
Interface:SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon:4 Go
Caractéristiques:Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur:69.85 mm
Profondeur:100 mm
Hauteur:6.8 mm
Poids:54 g
Performances
Endurance SSD:1.44 PB
Débit de transfert interne:560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko:11000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko:35000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum:88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko:98000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF:1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces:1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches
Baie compatible:2.5"
Alimentation
Consommation électrique:3.3 Watt (moyenne)
5.5 Watt (maximum)
0.045 Watt (inactif)
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement:0 °C
Température maximale de fonctionnement:70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement):0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos):1500 g @ 0,5 ms
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